Semikron Danfoss Rychlý modul IGBT4 SKM150GAR12T4 Typ N-kanálový 232 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 5 kolíkový

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 443,86 Kč

(bez DPH)

2 957,07 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 48 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 92 443,86 Kč
10 - 191 815,70 Kč
20 +1 725,54 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4955
Výrobní číslo:
SKM150GAR12T4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

232A

Typ produktu

Rychlý modul IGBT4

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Typ balení

SEMITRANS2

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

5

Spínací napětí

180ns

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.4V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

30.1mm

Šířka

34 mm

Řada

GAR

Normy/schválení

IEC 60747-1

Délka

94mm

Automobilový standard

Ne

Jednotlivé moduly IGBT


Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy