IGBT modul SKM150GAR12T4 N-kanálový 232 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 5 Jednoduchý

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 443,86 Kč

(bez DPH)

2 957,07 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
1 - 92 443,86 Kč
10 - 191 815,70 Kč
20 +1 725,54 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4955
Výrobní číslo:
SKM150GAR12T4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

232 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Konfigurace

Jednoduché

Typ balení

SEMITRANS2

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Počet kolíků

5

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

94 x 34 x 30.1mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Jednotlivé moduly IGBT


Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.


IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy