Semikron Danfoss Modul IGBT4 SKM400GAL12E4 Typ N-kanálový 40 A 1200 V, SEMITRANS3, počet kolíků: 5 kolíkový Povrch 12

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

6 629,48 Kč

(bez DPH)

8 021,67 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 12 jednotka(y) budou odesílané od 08. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 96 629,48 Kč
10 - 196 304,68 Kč
20 - 495 986,29 Kč
50 - 2495 688,16 Kč
250 +5 409,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4989
Výrobní číslo:
SKM400GAL12E4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Typ produktu

Modul IGBT4

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Typ balení

SEMITRANS3

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

5

Spínací napětí

12kHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.4V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747-1, UL E63532

Řada

SEMITRANS 3 GAL

Délka

106.4mm

Výška

30.5mm

Šířka

61.4 mm

Automobilový standard

Ne

Jednotlivé moduly IGBT


Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy