IGBT modul SKM400GAL12E4 N-kanálový 618 A 1200 V, SEMITRANS3, počet kolíků: 5 Jednoduchý

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

6 629,48 Kč

(bez DPH)

8 021,67 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 12 jednotka(y) budou odesílané od 08. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 96 629,48 Kč
10 - 196 304,68 Kč
20 - 495 986,29 Kč
50 - 2495 688,16 Kč
250 +5 409,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4989
Výrobní číslo:
SKM400GAL12E4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

618 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Typ balení

SEMITRANS3

Konfigurace

Jednoduché

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Počet kolíků

5

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Jednotlivé moduly IGBT


Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.


IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy