STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF Jeden kolektor 4 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový 1 Povrch
- Skladové číslo RS:
- 287-7045P
- Výrobní číslo:
- STGD4H60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 259,25 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
385,30 Kč
(bez DPH)
466,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 17. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 19,265 Kč | - |
| 50 - 198 | 14,08 Kč | 259,25 Kč |
| 200 - 998 | 12,595 Kč | 1 334,00 Kč |
| 1000 + | 11,115 Kč | 8 150,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7045P
- Výrobní číslo:
- STGD4H60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 4A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Konfigurace | Jeden kolektor | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.7V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 6.7mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 4A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Konfigurace Jeden kolektor | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.7V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 6.7mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Polní zarážka hradla STMicroelectronics Trench Gate je IGBT vyvinutá pomocí pokročilé proprietární struktury polního zarážky hradla Trench Gate. Toto zařízení je součástí řady H IGBT, která představuje optimální kompromis mezi vodivostí a spínacími ztrátami pro maximalizaci účinnosti převodníků s vysokou spínací frekvencí. Navíc mírně pozitivní teplotní koeficient VCE(sat) a velmi úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.
Nízký tepelný odpor
Jmenovitý zkratek
Měkká a rychlá antiparalelní dioda