Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4 150 A 1200 V 2
- Skladové číslo RS:
- 248-6695
- Výrobní číslo:
- SKM150GB12F4
- Výrobce:
- Semikron
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
- Skladové číslo RS:
- 248-6695
- Výrobní číslo:
- SKM150GB12F4
- Výrobce:
- Semikron
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Semikron | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 150 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±15.0V | |
| Počet tranzistorů | 2 | |
| Konfigurace | Poloviční můstek | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Semikron | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 150 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±15.0V | ||
Počet tranzistorů 2 | ||
Konfigurace Poloviční můstek | ||
Modul IGBT řady Semikron SEMITRANS má kolektor 1200 v na napětí emitoru. Používá se zejména v UPS, elektronických svářečů, indukčním ohřevu, Switched Mode napájecích zdrojích.
Zvýšená schopnost cyklování výkonu
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Související odkazy
- Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4 150 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4G 150 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM75GB12F4 75 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM200GB12F4 200 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM300GB12F4 300 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM100GB12F4 100 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM100GAR12F4 100 A 1200 V 1
- Tranzistorový modul IGBT SKM400GAR12F4 400 A 1200 V 1