Tranzistorový modul IGBT SKM100GB12F4 100 A 1200 V 2
- Skladové číslo RS:
- 248-6694
- Výrobní číslo:
- SKM100GB12F4
- Výrobce:
- Semikron
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 248-6694
- Výrobní číslo:
- SKM100GB12F4
- Výrobce:
- Semikron
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Semikron | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 100 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±15.0V | |
| Počet tranzistorů | 2 | |
| Konfigurace | Poloviční můstek | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Semikron | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 100 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±15.0V | ||
Počet tranzistorů 2 | ||
Konfigurace Poloviční můstek | ||
Modul IGBT řady Semikron SEMITRANS má kolektor 1200 v na napětí emitoru. Používá se zejména v UPS, elektronických svářečů, indukčním ohřevu, Switched Mode napájecích zdrojích.
Zvýšená schopnost cyklování výkonu
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Izolovaná měděná základová deska s technologií DBC (Direct Bonded Copper)
Pro vyšší spínací frekvence nad 15kHz
Související odkazy
- Tranzistorový modul IGBT SKM100GB12F4 100 A 1200 V 2
- Tranzistorový modul IGBT SKM150GB12F4G 150 A 1200 V 2
- Infineon IGBT modul 100 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon IGBT modul FS75R12KT3GBOSA1 100 A 1200 V, Modul Panel
- Starpower IGBT modul GD100FSA120L3SF 100 A 1200 V, Modul 6
- Starpower IGBT modul GD100HFY120C1S Duální 100 A 1200 V počet kolíků: 7 kolíkový 2
- IGBT modul FF900R12ME7WBPSA1 890 A 1200 V 2
- Infineon IGBT modul 450 A 1200 V 2