Infineon IGBT modul FS75R12KT3GBOSA1 100 A 1200 V, Modul Panel

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

21 956,08 Kč

(bez DPH)

26 566,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 - 902 195,608 Kč21 956,08 Kč
100 +2 013,396 Kč20 133,96 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7408
Výrobní číslo:
FS75R12KT3GBOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

100A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

355W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Panel

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Šířka

62 mm

Délka

122mm

Výška

20.5mm

Normy/schválení

EN61140, IEC61140

Automobilový standard

Ne

Modul Infineon IGBT má kolektorové emitující napětí 1200 V a nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 75 A. Má nízkou indukční konstrukci modulu. Tento modul IGBT je k dispozici s rychlým TRENCHSTOP IGBT3, vysoce účinnou emitentově řízenou diodou a NTC.

Tepelný odpor

Vysoká hustota výkonu

Koncept kompaktního modulu

Související odkazy