IGBT modul FS75R12KT3GBOSA1 100 A 1200 V, Modul

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

41 763,18 Kč

(bez DPH)

50 533,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 - 904 176,318 Kč41 763,18 Kč
100 +3 829,686 Kč38 296,86 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7408
Výrobní číslo:
FS75R12KT3GBOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

100 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

355 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul Infineon IGBT má kolektorové emitující napětí 1200 V a nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 75 A. Má nízkou indukční konstrukci modulu. Tento modul IGBT je k dispozici s rychlým TRENCHSTOP IGBT3, vysoce účinnou emitentově řízenou diodou a NTC.

Tepelný odpor
Vysoká hustota výkonu
Koncept kompaktního modulu

Související odkazy