IGBT modul F3L100R07W2H3B11BPSA1 70 A 650 V 4
- Skladové číslo RS:
- 248-1200
- Výrobní číslo:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
1 152,01 Kč
(bez DPH)
1 393,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 1 jednotka(y) budou odesílané od 27. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 152,01 Kč |
| 2 - 4 | 1 094,70 Kč |
| 5 - 9 | 1 048,27 Kč |
| 10 - 19 | 1 002,33 Kč |
| 20 + | 956,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 248-1200
- Výrobní číslo:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 70 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 20 mW | |
| Počet tranzistorů | 4 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 70 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 20 mW | ||
Počet tranzistorů 4 | ||
Infineon dělá tento EasyPACK 2B 650 v, 100 A 3-Level IGBT modul s příkop / Fieldstop IGBT H3 a Rapid dioda a pressfit / NTC. Toto zařízení nabízí snadno použitelný kompaktní design, optimalizovaný výkon. Zařízení poskytuje další výhody, jako je zvýšená schopnost blokující napětí až 650 v, nízká indukční konstrukce, nízké ztráty spínání a nízká VCE, SAT. Používá substrát Al2O3 s nízkou tepelnou odolností a kontaktní technologií lisovaného kontaktu. Toto zařízení nabízí robustní montáž díky integrované montážní svorce.
Nejlepší poměr nákladů a výkonu se sníženými náklady na systém
Vysoký stupeň volnosti v designu a využívá technologii IGBT HighSpeed 3
Nejvyšší účinnost a hustota výkonu
Vysoký stupeň volnosti v designu a využívá technologii IGBT HighSpeed 3
Nejvyšší účinnost a hustota výkonu
Související odkazy
- IGBT modul F3L100R07W2H3B11BPSA1 70 A 650 V 4
- IGBT modul DF200R07W2H3B77BPSA1 40 A, 70 A 650 V 4
- IGBT modul F3L150R07W2H3B11BPSA1 85 A 650 V 4
- IGBT modul DF300R07W2H3B77BPSA1 40 A, 90 A 650 V 4
- IGBT GD100MLX65L3S N-kanálový 150 A 650 V, Modul 4
- IGBT GD75MLX65L3S N-kanálový 150 A 650 V, Modul 4
- IGBT modul F3L150R07W2E3B11BOMA1 650 A 150 V, Modul
- IGBT modul F3L100R07W2E3B11BOMA1 117 A 650 V, Modul
