onsemi IGBT modul 1200 V, Q0PACK - pouzdro 180AB Povrch 4
- Skladové číslo RS:
- 245-6992
- Výrobní číslo:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*
33 235,32 Kč
(bez DPH)
40 214,736 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 24 + | 1 384,805 Kč | 33 235,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 245-6992
- Výrobní číslo:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | IGBT modul | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 188W | |
| Počet tranzistorů | 4 | |
| Typ balení | Q0PACK - pouzdro 180AB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 55.2mm | |
| Výška | 13.9mm | |
| Řada | NXH80T120L3Q0S3G | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu IGBT modul | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 188W | ||
Počet tranzistorů 4 | ||
Typ balení Q0PACK - pouzdro 180AB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 55.2mm | ||
Výška 13.9mm | ||
Řada NXH80T120L3Q0S3G | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MODUL ON Semiconductor Q0PACK je výkonový modul obsahující neutrální bod typu T upnutý ve třech stupních stupně měniče. Integrované obvody IGBT pro zastavení v terénu a diody pro rychlé obnovení zajišťují nižší ztráty vedení a ztráty spínání, což konstruktérům umožňuje dosáhnout vysoké účinnosti a vynikající spolehlivosti.
Nízké ztráty při zapnutí
Nízký VCESAT
Kompaktní pouzdro: 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Možnosti s předběžným tepelně vodivým materiálem a bez předaplikovaného TIM
Volitelné vybavení s volitelnými kolíky a termistorem nalisováním kolíků
Související odkazy
- onsemi IGBT modul NXH80T120L3Q0S3G 1200 V, Q0PACK - pouzdro 180AB Povrch 4
- onsemi IGBT modul, Q0PACK - pouzdro 180AJ Povrch 2
- onsemi IGBT modul NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - pouzdro 180AJ Povrch 2
- onsemi IGBT modul 1200 V, Pouzdro 180BF Povrch 2
- onsemi IGBT modul 1200 V, Pouzdro 180AJ Povrch 2
- onsemi IGBT modul NXH100B120H3Q0PG 1200 V, Pouzdro 180BF Povrch 2
- onsemi IGBT modul NXH100B120H3Q0SG 1200 V, Pouzdro 180AJ Povrch 2
- Infineon IGBT modul 1200 V 4
