onsemi IGBT modul 1200 V, Q0PACK - pouzdro 180AB Povrch 4

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*

33 235,32 Kč

(bez DPH)

40 214,736 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za kus*
24 +1 384,805 Kč33 235,32 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
245-6992
Výrobní číslo:
NXH80T120L3Q0S3G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

188W

Počet tranzistorů

4

Typ balení

Q0PACK - pouzdro 180AB

Typ montáže

Povrch

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

55.2mm

Výška

13.9mm

Řada

NXH80T120L3Q0S3G

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

MODUL ON Semiconductor Q0PACK je výkonový modul obsahující neutrální bod typu T upnutý ve třech stupních stupně měniče. Integrované obvody IGBT pro zastavení v terénu a diody pro rychlé obnovení zajišťují nižší ztráty vedení a ztráty spínání, což konstruktérům umožňuje dosáhnout vysoké účinnosti a vynikající spolehlivosti.

Nízké ztráty při zapnutí

Nízký VCESAT

Kompaktní pouzdro: 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm

Možnosti s předběžným tepelně vodivým materiálem a bez předaplikovaného TIM

Volitelné vybavení s volitelnými kolíky a termistorem nalisováním kolíků

Související odkazy