onsemi IGBT modul NXH100B120H3Q0PG 1200 V, Pouzdro 180BF Povrch 2

View all IGBT

Subtotal (1 unit)*

1 146,08 Kč

(exc. VAT)

1 386,76 Kč

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Stock information currently inaccessible - Please check back later
Units
Per unit
1 +1 146,08 Kč

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
245-6962
Mfr. Part No.:
NXH100B120H3Q0PG
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Maximální ztrátový výkon Pd

186W

Typ balení

Pouzdro 180BF

Typ montáže

Povrch

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

NXH100B120H3Q0PG

Délka

55.2mm

Výška

13.9mm

Automobilový standard

Ne

NAPÁJECÍ modul ON Semiconductor Dual Boost je napájecí modul obsahující duální výkonový stupeň. Integrované diody IGBT a SIC pro zastavení v terénu poskytují nižší ztráty vedení a ztráty spínání, což konstruktérům umožňuje dosáhnout vysoké účinnosti a vynikající spolehlivosti.

1200 v Ultra Field Stop IGBT

Diody SIC s nízkým zpětným chodem a rychlým spínáním

1600 v obtokové a antiparalelní diody

Nízké indukční rozložení

Pájitelné kolíky nebo nalisované čepy

Možnosti termistoru s předběžným tepelně vodným materiálem a bez přednastaveného TIM

Related links