onsemi IGBT modul NXH40B120MNQ1SNG, Q1BOOST Povrch 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
245-6984
Výrobní číslo:
NXH40B120MNQ1SNG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Počet tranzistorů

3

Maximální ztrátový výkon Pd

156W

Typ balení

Q1BOOST

Typ montáže

Povrch

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

55.2mm

Řada

NXH40B120MNQ1SNG

Šířka

32.8mm

Normy/schválení

RoHS

Výška

13.9mm

Automobilový standard

Ne

Modul Full SiC MOSFET | Tříkanálový modul EliteSiC Full SiC Boost, 1200 V, 40 mΩ SiC MOSFET + 1200 V, dioda 40 A SiC DBC s poniklováním


ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG je napájecí modul obsahující tříkanálový výkonový stupeň. Integrované tranzistory MOSFET SIC a diody SIC poskytují nižší ztráty vedení a spínací ztráty, což konstruktérům umožňuje dosáhnout vysoké účinnosti a vynikající spolehlivosti.

40 m/1200 v SIC MOSFET Half-Bridge

Termistor

Možnosti s předběžným tepelně vodivým materiálem a bez předaplikovaného TIM

Nalisujte čepy

Tato zařízení jsou bez Pb, bez Halide a jsou v souladu s RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.