onsemi IGBT modul NXH350N100H4Q2F2P1G 1000 V, Q2PACK Povrch 4

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 jednotka)*

4 227,16 Kč

(bez DPH)

5 114,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +4 227,16 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
245-6974
Výrobní číslo:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1000V

Počet tranzistorů

4

Maximální ztrátový výkon Pd

592W

Typ balení

Q2PACK

Typ montáže

Povrch

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

93.1mm

Výška

12.3mm

Řada

NXH350N100H4Q2F2P1G

Normy/schválení

RoHS

Šířka

47.3 mm

Automobilový standard

Ne

Hybridní modul Si/SiC – EliteSiC, NPC typu I 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC dioda, lisované kolíky v pouzdru Q2


TŘÍÚROVŇOVÝ MODUL NPC Q2Pack ON Semiconductor je integrovaný výkonový modul s vysokou hustotou, který kombinuje vysoce výkonné IGBT s odolnými antiparalelními diodami.

Extrémně efektivní příkop s technologií zastavení na poli

Nízká ztráta spínání snižuje rozptyl výkonu systému

Konstrukce modulu nabízí vysokou hustotu výkonu

Nízké indukční uspořádání

Nízká výška balení

Tato zařízení jsou bez Pb, bez halogenů a jsou v souladu s RoHS

Související odkazy