Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	IGBT modul
	Maximální napětí kolektoru Vceo	1000V
	Maximální ztrátový výkon Pd	959W
	Počet tranzistorů	4
	Typ balení	PIM42
	Typ montáže	Povrch
	Maximální napětí brány VGEO	20 V
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Výška	12.3mm
	Délka	93.1mm
	Šířka	47.3 mm
	Řada	NXH400N100H4Q2F2PG
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu IGBT modul
	Maximální napětí kolektoru Vceo 1000V
	Maximální ztrátový výkon Pd 959W
	Počet tranzistorů 4
	Typ balení PIM42
	Typ montáže Povrch
	Maximální napětí brány VGEO 20 V
	Minimální provozní teplota -40°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Výška 12.3mm
	Délka 93.1mm
	Šířka 47.3 mm
	Řada NXH400N100H4Q2F2PG
	Automobilový standard Ne

Datasheet - NXH400N100H4Q2F2PG

TŘÍÚROVŇOVÝ MODUL NPC Q2Pack ON Semiconductor je integrovaný výkonový modul s vysokou hustotou, který kombinuje vysoce výkonné IGBT s odolnými antiparalelními diodami.

Extrémně efektivní příkop s technologií zastavení na poli

Nízká ztráta spínání snižuje rozptyl výkonu systému

Konstrukce modulu nabízí vysokou hustotu výkonu

Nízké indukční uspořádání

Nízká výška balení

Tato zařízení jsou bez Pb, bez obsahu halogenů, bez BFR a jsou v souladu s RoHS

onsemi IGBT modul NXH400N100H4Q2F2PG 1000 V, PIM42 Povrch 4

Související odkazy