IGBT STGYA75H120DF2 150 A 1200 V, Max247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 234-8894
- Výrobní číslo:
- STGYA75H120DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
195,38 Kč
(bez DPH)
236,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 460 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 195,38 Kč |
| 5 - 9 | 185,50 Kč |
| 10 - 24 | 166,97 Kč |
| 25 - 49 | 155,86 Kč |
| 50 + | 152,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 234-8894
- Výrobní číslo:
- STGYA75H120DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 150 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 750 W | |
| Typ balení | Max247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 150 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 750 W | ||
Typ balení Max247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
STMicroelectronics IGBT vyvinutý pomocí Advanced proprietární příkop brány pole stop strukturu. Toto zařízení je součástí řady IGBT H, které představují optimální kompromis mezi ztrátami vedení a spínání, aby se maximalizovala účinnost vysokofrekvenčních měničů. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE (SAT) a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.
Maximální teplota spoje TJ = 175 °C.
5 μs doby odolnosti proti zkratu
VCE (SAT) = 2.1 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi přesné rozložení parametrů
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Nízký tepelný odpor
Velmi rychlá obnova antiparalelní dioda
5 μs doby odolnosti proti zkratu
VCE (SAT) = 2.1 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi přesné rozložení parametrů
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Nízký tepelný odpor
Velmi rychlá obnova antiparalelní dioda
Související odkazy
- IGBT STGYA75H120DF2 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- IGBT STGYA50M120DF3 100 A 1200 V, Max247 1
- IGBT STGYA50H120DF2 50 A 1200 V, Dlouhé svody Max247 1
- IGBT FGY75T120SWD N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- IGBT IKQ75N120CT2XKSA1 P-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3 20kHz 1 Jednoduchý
- IGBT IKQ75N120CS6XKSA1 N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
- IGBT modul FS150R12KT4BOSA1 N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 35 3fázový
- IGBT FP150R12N3T7PB11BPSA1 150 A 1200 V
