IGBT STGYA75H120DF2 150 A 1200 V, Max247, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

195,38 Kč

(bez DPH)

236,41 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 460 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 4195,38 Kč
5 - 9185,50 Kč
10 - 24166,97 Kč
25 - 49155,86 Kč
50 +152,15 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
234-8894
Výrobní číslo:
STGYA75H120DF2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

150 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

750 W

Typ balení

Max247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

STMicroelectronics IGBT vyvinutý pomocí Advanced proprietární příkop brány pole stop strukturu. Toto zařízení je součástí řady IGBT H, které představují optimální kompromis mezi ztrátami vedení a spínání, aby se maximalizovala účinnost vysokofrekvenčních měničů. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE (SAT) a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.

Maximální teplota spoje TJ = 175 °C.
5 μs doby odolnosti proti zkratu
VCE (SAT) = 2.1 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi přesné rozložení parametrů
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Nízký tepelný odpor
Velmi rychlá obnova antiparalelní dioda

Související odkazy