Infineon IGBT IKW75N65EH5XKSA1 Typ N-kanálový 90 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 215-6675
- Výrobní číslo:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
344,32 Kč
(bez DPH)
416,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 172,16 Kč | 344,32 Kč |
| 10 - 18 | 156,475 Kč | 312,95 Kč |
| 20 - 48 | 146,225 Kč | 292,45 Kč |
| 50 - 98 | 136,095 Kč | 272,19 Kč |
| 100 + | 125,725 Kč | 251,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6675
- Výrobní číslo:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 90A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 395W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 16.13mm | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Délka | 41.42mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 90A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 395W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 16.13mm | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Délka 41.42mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon izolovaný-gate bipolární tranzistor s vysokou rychlostí H5 technologie.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 90 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 83 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor