Infineon IGBT IKW75N65EH5XKSA1 Typ N-kanálový 90 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

270,96 Kč

(bez DPH)

327,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 25. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8135,48 Kč270,96 Kč
10 - 18123,13 Kč246,26 Kč
20 - 48114,98 Kč229,96 Kč
50 - 98106,95 Kč213,90 Kč
100 +98,80 Kč197,60 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6675
Výrobní číslo:
IKW75N65EH5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

90A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

395W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

16.13 mm

Délka

41.42mm

Normy/schválení

JEDEC

Řada

High Speed Fifth Generation

Automobilový standard

Ne

Infineon izolovaný-gate bipolární tranzistor s vysokou rychlostí H5 technologie.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy