Infineon IGBT Typ N-kanálový 55 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 440,51 Kč

(bez DPH)

1 743,03 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 30 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3048,017 Kč1 440,51 Kč
60 - 12045,613 Kč1 368,39 Kč
150 +43,703 Kč1 311,09 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-6671
Výrobní číslo:
IKW30N65H5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

55A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

188W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

42mm

Výška

5.21mm

Řada

High Speed Fifth Generation

Normy/schválení

JEDEC

Automobilový standard

Ne

Infineon 650v duopack izolované-gate bipolární tranzistor je dioda páté generace vysokorychlostní spínací série.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy