Infineon IGBT IKW30N65H5XKSA1 Typ N-kanálový 55 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 215-6673
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-31-965
- Výrobní číslo:
- IKW30N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
423,85 Kč
(bez DPH)
512,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 84,77 Kč | 423,85 Kč |
| 10 - 20 | 76,372 Kč | 381,86 Kč |
| 25 - 45 | 71,186 Kč | 355,93 Kč |
| 50 - 120 | 66,098 Kč | 330,49 Kč |
| 125 + | 61,058 Kč | 305,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6673
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-31-965
- Výrobní číslo:
- IKW30N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 55A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 188W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.21mm | |
| Délka | 42mm | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 55A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 188W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.21mm | ||
Délka 42mm | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 650v duopack izolované-gate bipolární tranzistor je dioda páté generace vysokorychlostní spínací série.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 55 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 90 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
