Infineon IGBT IKW30N65H5XKSA1 Typ N-kanálový 55 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

423,85 Kč

(bez DPH)

512,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 584,77 Kč423,85 Kč
10 - 2076,372 Kč381,86 Kč
25 - 4571,186 Kč355,93 Kč
50 - 12066,098 Kč330,49 Kč
125 +61,058 Kč305,29 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6673
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-31-965
Výrobní číslo:
IKW30N65H5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

55A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

188W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

5.21mm

Délka

42mm

Řada

High Speed Fifth Generation

Normy/schválení

JEDEC

Automobilový standard

Ne

Infineon 650v duopack izolované-gate bipolární tranzistor je dioda páté generace vysokorychlostní spínací série.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy