Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IGB50N60TATMA1 N-kanálový 90 A 600 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 215-6630
- Výrobní číslo:
- IGB50N60TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
242,55 Kč
(bez DPH)
293,486 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 852 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 121,275 Kč | 242,55 Kč |
| 10 - 98 | 111,15 Kč | 222,30 Kč |
| 100 - 248 | 102,75 Kč | 205,50 Kč |
| 250 - 498 | 95,465 Kč | 190,93 Kč |
| 500 + | 92,38 Kč | 184,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6630
- Výrobní číslo:
- IGB50N60TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 90A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.5V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, JEDEC1 | |
| Řada | TRENCHSTOPTM | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 90A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.5V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, JEDEC1 | ||
Řada TRENCHSTOPTM | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon nízkoztrátový izolovaný-gate bipolární tranzistor v technologii trenchstop a fieldstop.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 90 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon TO-263,
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65ES5ATMA1 Typ N-kanálový 79 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB15N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IGB15N60TATMA1 Typ N-kanálový 26 A 600 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKP28N65ES5XKSA1 28 A 650 V, TO-220