STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

451,52 Kč

(bez DPH)

546,34 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 07. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 2045,152 Kč
25 +44,362 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
204-9872P
Výrobní číslo:
STGF20H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

45W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.6mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

STG

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 20 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.