STMicroelectronics IGBT N-kanálový 40 A 650 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 204-9872P
- Výrobní číslo:
- STGF20H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
2 477,40 Kč
(bez DPH)
2 997,65 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 25 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 49,548 Kč | - |
| 250 - 495 | 44,262 Kč | 10% |
| 500 + | 37,988 Kč | 23% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-9872P
- Výrobní číslo:
- STGF20H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | STG | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 16.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada STG | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 16.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 20 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor