onsemi IGBT modul Typ N-kanálový 35 A 650 V, DIP-26, počet kolíků: 26 kolíkový Průchozí otvor

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
202-5682
Výrobní číslo:
NXH35C120L2C2SG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

35A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Typ balení

DIP-26

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

26

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±2 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.4V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

73mm

Řada

CIB

Výška

8mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Lisovaný napájecí modul ON SEMICONDUCTOR obsahující obvod měniče-měniče-brzdy sestávající ze šesti usměrňovačů 35 a a 1600 v, šesti IGBT 35 a a 1200 v s inverzní diodami, jedné IGBT brzdy 35 a 1200 v s brzdovou diodou a termistorem NTC.

Nízký tepelný odpor

vzdálenost 6mm mezi kolíkem a chladičem

Pájky

Termistor

Bez olova

Bez halogenů nebo bez BFR

Vyhovuje RoHS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.