IGBT modul NXH35C120L2C2ESG N-kanálový 35 A 650 V, DIP26 6

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Skladové číslo RS:
202-5680
Výrobní číslo:
NXH35C120L2C2ESG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

35 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20.0V

Počet tranzistorů

6

Typ balení

DIP26

Konfigurace

3fázový

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Lisovaný napájecí modul ON SEMICONDUCTOR s podkladem pro nízký tepelný odpor, který obsahuje obvod měniče-měniče-brzdy sestávající ze šesti usměrňovačů 35 a a 1600 v, šesti 35 a a 1200 v IGBT s inverzní diodou, jednoho brzdového spínače 35 a 1200 v s brzdnou diodou a termistorem NTC.

Nízký tepelný odpor
vzdálenost 6mm mezi kolíkem a chladičem
Pájky
Termistor
Bez olova
Bez halogenů nebo bez BFR
Vyhovuje RoHS

Související odkazy