IGBT SUD08P06-155L-GE3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

419,16 Kč

(bez DPH)

507,18 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 160 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
20 - 8020,958 Kč419,16 Kč
100 - 18020,328 Kč406,56 Kč
200 - 48019,279 Kč385,58 Kč
500 - 98018,439 Kč368,78 Kč
1000 +17,364 Kč347,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
180-8117
Výrobní číslo:
SUD08P06-155L-GE3
Výrobce:
Vishay

MOSFET Vishay


Vishay MOSFET je P-kanál, TO-252-3 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 60V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 52 mohm na napětí hradla-zdroj 10V. MOSFET má maximální ztrátový výkon 20,8 W. Lze jej použít v zátěžových přepínačích pro přenosná zařízení. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Halogenová a olověná (Pb) volná složka
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET

Související odkazy