IGBT SI7121ADN-T1-GE3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
180-7308
Výrobní číslo:
SI7121ADN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET Vishay


Vishay povrchová montáž P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET je nový věkový produkt s odvodem napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 25V. Má odpor zdroje vypouštění 15mms při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 27,8 W a nepřetržitý vypouštěcí proud 18A. Má minimální a maximální napájecí napětí 4.5V a 10V. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. S pomocí tohoto MOSFET lze dosáhnout vynikajícího výkonu a efektivity při nižších nákladech. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Bez halogenů
• Nízká tepelná odolnost powerpak balení s malou velikostí
• maximální ztrátový výkon je 27,8W
• provozní teplota se pohybuje mezi -50°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace


• mobilní výpočetní technika
• přepínače adaptéru
• spínače zátěže – správa baterie
• notebooky
• řízení výkonu

Certifikace


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• testováno RG
• UIS testován

Související odkazy