IGBT SIHG47N60EF-GE3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

211,93 Kč

(bez DPH)

256,44 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 35 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
1 - 9211,93 Kč
10 - 24206,00 Kč
25 - 49195,13 Kč
50 - 99186,49 Kč
100 +175,86 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
180-7913
Výrobní číslo:
SIHG47N60EF-GE3
Výrobce:
Vishay
Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET Vishay


Vishay průchozí otvor N-kanál NA-247AC-3 MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 600V a maximální hradlo-zdroj napětí 30V. Má odpor zdroje vypouštění 65 měsíců při napětí zdroje hradla 10V. Má maximální ztrátový výkon 379 W a nepřetržitý vypouštěcí proud 47A. Má stejnosměrné napětí 10V. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Fast tělo dioda MOSFET pomocí technologie řady E.
• Bez halogenů
• zvýšená robustnost díky nízké Qrr
• Nízká hodnota-of-merit (FOM) Ron x QG
• Nízká vstupní kapacita (CISS)
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• snížené trr, Qrr a IRRM
• velmi nízké nabití hradla (QG)

Aplikace


• diody vyzařující světlo (LED)
• 3-level měniče
• AC / DC můstky
• ATX napájecí zdroje
• vysoce intenzivní osvětlení (HID)
• LLC
• fázové posunuté mosty (ZVS)
• zdroje napájení korekce účiníku (PFC)
• Server a telekomunikační zdroje napájení
• solární PV měniče

Certifikace


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS testován

Související odkazy