Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 200 A 1200 V, AG-ECONO3-4 Svorka

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

25 573,39 Kč

(bez DPH)

30 943,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 20. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 +2 557,339 Kč25 573,39 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1096
Výrobní číslo:
FS150R12KE3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

200A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

700W

Typ balení

AG-ECONO3-4

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Délka

122mm

Normy/schválení

EN61140, IEC61140

Šířka

62 mm

Výška

17mm

Řada

FS150R12KE3

Automobilový standard

Ne

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):
HU

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy