IGBT modul FS100R12KT4GBOSA1 N-kanálový 100 A 1200 V, AG-ECONO3-4 3fázový

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

35 422,78 Kč

(bez DPH)

42 861,56 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 26. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 +3 542,278 Kč35 422,78 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-0911
Výrobní číslo:
FS100R12KT4GBOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

100 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

515 W

Konfigurace

3fázový můstek

Typ balení

AG-ECONO3-4

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Konfigurace tranzistoru

3fázový

Rozměry

122 x 62 x 17mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):
MY

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy