IXYS vysokorychlostní IGBT Typ N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 50 kHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

5 032,08 Kč

(bez DPH)

6 088,83 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 210 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +167,736 Kč5 032,08 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
146-1767
Výrobní číslo:
IXYH50N120C3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

vysokorychlostní IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

750W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

50kHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.5V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

16.26 mm

Délka

20.32mm

Řada

GenX3TM

Normy/schválení

International Standard Package

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)

Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí

Možnost zkratu pro 10USEC

Teplotní koeficient kladného napětí na stavu

Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol

Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy