IXYS IGBT IXGP20N120B3 N-kanálový 80 A 1.2 kV, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
146-1730
Výrobní číslo:
IXGP20N120B3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

IGBT

Typ kanálu

N

Maximální trvalý kolektorový proud (Ic)

80 A

Maximální napětí kolektoru (Vceo)

1.2 kV

Typ balení

TO-220

Počet kolíků

3

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální napětí brány (VGEO)

20 V

Maximální provozní teplota

150 °C

Minimální provozní teplota

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.