Infineon IGBT modul FS75R12KE3GBOSA1 Typ N-kanálový 75 A 1.2 kV, ECONO3, počet kolíků: 35 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 krabice po 10 kusech)*

27 750,23 Kč

(bez DPH)

33 577,78 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Krabici*
10 +2 775,023 Kč27 750,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-8792
Výrobní číslo:
FS75R12KE3GBOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

75A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1.2kV

Počet tranzistorů

6

Maximální ztrátový výkon Pd

355W

Typ balení

ECONO3

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

35

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

No

Délka

122mm

Výška

17mm

Šířka

62 mm

Řada

FS75R12KE3G

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy