Infineon IGBT modul FF1400R12IP4BOSA1 Typ N-kanálový 1400 A 1200 V, AG-PRIME3-1 Svorka 0.97 μs

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

14 076,04 Kč

(bez DPH)

17 032,01 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 18. února 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 114 076,04 Kč
2 +13 679,11 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
111-6100
Výrobní číslo:
FF1400R12IP4BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

1400A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

7.65kW

Typ balení

AG-PRIME3-1

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Spínací napětí

0.97μs

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

38mm

Délka

250mm

Normy/schválení

EN 61140

Šířka

89 mm

Automobilový standard

Ne

Nelze použít

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy