Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 700 A 1200 V, AG-62MM-2 Svorka 0.06 μs

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

36 904,76 Kč

(bez DPH)

44 654,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za kus*
10 +3 690,476 Kč36 904,76 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1097
Výrobní číslo:
FZ600R12KS4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

700A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

3900W

Typ balení

AG-62MM-2

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Spínací napětí

0.06μs

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.85V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Řada

FZ600R12KS4

Normy/schválení

RoHS

Délka

106.4mm

Výška

36.5mm

Šířka

61.4 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy