Infineon IGBT IKWH50N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

171,42 Kč

(bez DPH)

207,42 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 25. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 +85,71 Kč171,42 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
285-013
Výrobní číslo:
IKWH50N65EH7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

249W

Typ balení

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

20.1mm

Výška

5.1mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT je sofistikovaný vysokorychlostní IGBT navržený tak, aby poskytoval působivý výkon v náročných aplikacích. Toto zařízení 650 V s využitím pokročilé technologie vypínacího klíče nabízí výrazně snížené spínací ztráty a mimořádně nízké napětí nasycení emitujícího kolektoru. Jeho robustní konstrukce zajišťuje mimořádnou spolehlivost, díky čemuž je ideální volbou pro energeticky úsporné systémy, jako jsou průmyslové UPS a řešení pro nabíjení elektrických vozidel. Díky vynikajícím vlastnostem tepelné správy a souladu s přísnými standardy JEDEC vyniká toto zařízení svou všestranností a odolností v různých aplikacích.

Nízké spínací ztráty zvyšují účinnost

Odolnost proti vlhkosti pro spolehlivý provoz

Optimalizováno pro dvouúrovňové a tříúrovňové topologie

Měkká a rychlá rekuperační dioda zvyšuje výkon

Ověřeno podle průmyslových norem pro spolehlivost

Komplexní spektrum produktů a modely PSpice

Vysoký kolektorový proud pro náročné aplikace

Související odkazy