IGBT IKQ150N65EH7XKSA1 N-kanálový 150 A 650 V, PG-TO247-3-PLUS-N, počet kolíků: 3 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
284-991
Výrobní číslo:
IKQ150N65EH7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

150 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

621 W

Typ balení

PG-TO247-3-PLUS-N

Konfigurace

Jednoduchý kolektor, jednoduchý emitor, jednoduchá brána

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

IGBT Infineon je příkladem špičkového výkonu díky své konstrukci s vysokou rychlostí a nízkým napětím nasycení, která je přizpůsobena pro náročné aplikace v různých odvětvích. Tento výrobek využívá pokročilou technologii IGBT7 s příkopovým dorazem, která dosahuje pozoruhodné účinnosti při napětí 650 V. Jeho kopakovaná struktura s měkkou, rychle se zotavující diodou Emitter Controlled 7 zajišťuje výjimečnou spolehlivost a výkon integrovaného obvodu. Ideální pro průmyslové systémy UPS a nabíjecí stanice pro elektromobily Výrobek je navržen s ohledem na odolnost proti vlhkosti a nabízí zvýšenou odolnost v náročných prostředích.

Nízké spínací ztráty pro zvýšení účinnosti
Poskytuje nízké kolektorové emitorové saturační napětí
Optimalizováno pro náročné spínací aplikace
Zajišťuje odolnost proti vlhkosti pro zajištění spolehlivosti
Nabízí řadu produktů a modelů PSpice
Kvalifikace pro průmyslové aplikace a přísné normy

Související odkazy