Infineon IGBT IKQ120N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V, PG-TO-247-3-PLUS-N, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 503,46 Kč

(bez DPH)

4 239,18 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +116,782 Kč3 503,46 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
284-988
Výrobní číslo:
IKQ120N65EH7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

498W

Typ balení

PG-TO-247-3-PLUS-N

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

20.1mm

Výška

5.1mm

Normy/schválení

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT s pokročilým výkonovým polovodičem přináší revoluci v účinnosti v různých aplikacích díky vysokorychlostním schopnostem a nízkému nasycovacímu napětí. Je navržen s renomovanou technologií 650 V TRENCHSTOP IGBT7 a vyniká v topologiích tvrdého spínání, díky čemuž je ideální pro průmyslové systémy UPS, řešení nabíjení EV a řetězové měniče. Tato robustní součást je certifikována podle přísných průmyslových norem, což zajišťuje spolehlivost a dlouhou životnost v náročných prostředích.

Využívá technologii trench pro vyšší účinnost

Minimalizuje spínací ztráty pro vyšší výkon

Navrženo pro spolehlivost při vysoké vlhkosti

Hladké spínací charakteristiky pro přesnost

Navrženo pro univerzální použití s napájecí elektronikou

Kvalifikace pro průmyslové aplikace podle JEDEC

Podporuje životnost zařízení s tepelným řízením

Poskytuje simulace s modely PSpice

Související odkazy