Infineon FRAM, Paralelní, 64 kB 8k x 8 bitů 70 ns, počet kolíků: 28 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC-28

Infineon FRAM je netěkavá paměť 8 K x 8, která čte a zapisuje podobně jako standardní paměť SRAM. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá, což znamená, že po vypnutí napájení se data uchovávají. Poskytuje uchování dat po dobu více než 151 let a zároveň eliminuje obavy o spolehlivost, funkční nevýhody a složitost konstrukce systému u paměti SRAM s baterií. Díky rychlému načasování zápisu a vysoké odolnosti při zápisu je FRAM lepší než jiné typy paměti. Jeho provoz je podobný jako u jiných zařízení RAM, a proto jej lze použít jako náhradu za standardní paměť SRAM v systému. Minimální doba cyklu čtení a zápisu je stejná. Paměť FRAM je díky unikátnímu ferroelektrickému paměťovému procesu netěkavá.

Nízká spotřeba energie