standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25CL64B-DG, SPI, 64kbit 8K x 8 bitůů 20ns 2,7 V až 3,65 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

64-Kbit ferroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) logicky uspořádaná jako 8K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlé sériové periferní rozhraní (SPI)
Frekvence až 20 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 200 μA při 1 MHz
3 μA (typ) klidový proud
Provoz při nízkém napětí: VDD = 2,7 V až 3,65 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková tenká duální plochá, bez kabelů (DFN)

Fram (Ferroelektrická RAM)

Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.