Renesas Electronics SRAM, 4 MB 256k x 16, počet kolíků: 48 kolíkový, SOJ-44

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 135 kusech)*

30 173,58 Kč

(bez DPH)

36 510,075 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 14. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
135 - 135223,508 Kč30 173,58 Kč
270 +223,213 Kč30 133,76 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
262-8976
Výrobní číslo:
71V416L10PHGI
Výrobce:
Renesas Electronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Renesas Electronics

Velikost paměti

4MB

Typ produktu

SRAM

Organizace

256k x 16

Počet slov

256K

Počet bitů na slovo

16

Maximální čas náhodného přístupu

15ns

Typ časování

Asynchronní

Minimální napájecí napětí

3.3V

Maximální napájecí napětí

3.3V

Typ montáže

Povrch

Typ balení

SOJ-44

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

85°C

Počet kolíků

48

Výška

1mm

Šířka

10.16 mm

Délka

18.41mm

Řada

IDT71V416

Normy/schválení

JEDEC Center Power/GND pinout

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

180mA

Země původu (Country of Origin):
TW
Paměť SRAM CMOS společnosti Renesas Electronics je uspořádána ve formátu 256 K x 16. Všechny obousměrné vstupy a výstupy paměti SRAM jsou kompatibilní s LVTTL a fungují z jednoho napájecího zdroje 3,3 V. Používá se plně statické asynchronní obvody, které k provozu nevyžadují žádné hodiny ani osvěžení.

JEDEC centrální napájení / GND pinout pro snížení hluku.

Jeden výběr čipu a jeden výstupní aktivační kolík

Obousměrné datové vstupy a výstupy přímo

Nízká spotřeba energie díky zrušení výběru čipu

Povolení horních a dolních bajtových kolíků

Jednoduchý napájecí zdroj 3,3 V

Související odkazy