Renesas Electronics SRAM, 4 MB 256k x 16, počet kolíků: 48 kolíkový, SOJ-44

Zobrazit vše v kategorii SRAM
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 135 kusech)*

30 173,58 Kč

(bez DPH)

36 510,075 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 03. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
135 - 135223,508 Kč30 173,58 Kč
270 +223,213 Kč30 133,76 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
262-8976
Výrobní číslo:
71V416L10PHGI
Výrobce:
Renesas Electronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Renesas Electronics

Velikost paměti

4MB

Typ produktu

SRAM

Počet slov

256K

Počet bitů na slovo

16

Maximální čas náhodného přístupu

15ns

Typ časování

Asynchronní

Minimální napájecí napětí

3.3V

Maximální napájecí napětí

3.3V

Typ montáže

Povrch

Typ balení

SOJ-44

Minimální provozní teplota

-40°C

Počet kolíků

48

Maximální provozní teplota

85°C

Výška

1mm

Délka

18.41mm

Řada

IDT71V416

Normy/schválení

JEDEC Center Power/GND pinout

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

180mA

Země původu (Country of Origin):
TW
Paměť SRAM CMOS společnosti Renesas Electronics je uspořádána ve formátu 256 K x 16. Všechny obousměrné vstupy a výstupy paměti SRAM jsou kompatibilní s LVTTL a fungují z jednoho napájecího zdroje 3,3 V. Používá se plně statické asynchronní obvody, které k provozu nevyžadují žádné hodiny ani osvěžení.

JEDEC centrální napájení / GND pinout pro snížení hluku.

Jeden výběr čipu a jeden výstupní aktivační kolík

Obousměrné datové vstupy a výstupy přímo

Nízká spotřeba energie díky zrušení výběru čipu

Povolení horních a dolních bajtových kolíků

Jednoduchý napájecí zdroj 3,3 V

Související odkazy