SRAM RMLV0416EGSB-4S2#AA1, 4Mbit 256k x 16 2,7 V až 3,6 V, počet kolíků: 44, TSOP

Zobrazit vše v kategorii SRAM
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 135 kusech)*

16 173,135 Kč

(bez DPH)

19 569,465 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 28. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
135 - 135119,801 Kč16 173,14 Kč
270 +115,967 Kč15 655,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
250-0189
Výrobní číslo:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Výrobce:
Renesas Electronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Renesas Electronics

Velikost paměti

4Mbit

Organizace

256k x 16

Počet slov

256k

Počet bitů na slovo

16bit

Maximální čas náhodného přístupu

45ns

Nízký výkon

Ano

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ balení

TSOP

Počet kolíků

44

Rozměry

18.41 x 10.16 x 1mm

Výška

1mm

Maximální provozní napájecí napětí

3,6 V

Maximální pracovní teplota

+85 °C

Délka

18.41mm

Minimální provozní napájecí napětí

2,7 V

Minimální provozní teplota

-40 °C

Šířka

10.16mm

4Mb pokročilá paměť LPSRAM (256 slov x 16 bitů)


Řada RMLV0416E je řada statických paměťových jednotek RAM 4 Mbit organizovaných 262, 144 slov x 16 bitů, vyrobených pomocí vysoce výkonných technologií Advanced LPSRAM společnosti Renesas. Řada RMLV0416E nabízí vyšší hustotu, vyšší výkon a nízkou spotřebu energie. Řada RMLV0416E nabízí nízkou spotřebu energie v pohotovostním režimu a je proto vhodná pro záložní systémy baterií. Nabízí se v 44kolíkovém poli TSOP (II) nebo 48kolíkovém poli kulové mřížky s jemným roztečí.

Klíčové funkce


  • Jednoduché napájení 3 V: 2,7 V až 3,6 V

  • Doba přístupu: 45 ns (max.)

  • Spotřeba proudu: pohotovostní režim: 0,3 μA (typ.)

  • Rovný přístup a doba cyklu

  • Společný datový vstup a výstup, třístavový výstup

  • Přímá kompatibilita se všemi vstupy a výstupy TTL

  • Záložní baterie

Související odkazy