Renesas Electronics SRAM, 4 MB 256k x 16, počet kolíků: 44 kolíkový, TSOP

Zobrazit vše v kategorii SRAM
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 135 kusech)*

16 173,135 Kč

(bez DPH)

19 569,465 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 03. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
135 - 135119,801 Kč16 173,14 Kč
270 +115,967 Kč15 655,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
250-0189
Výrobní číslo:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Výrobce:
Renesas Electronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Renesas Electronics

Velikost paměti

4MB

Typ produktu

SRAM

Počet slov

256K

Počet bitů na slovo

16

Maximální čas náhodného přístupu

45ns

Minimální napájecí napětí

2.7V

Typ montáže

Povrch

Maximální napájecí napětí

3.6V

Typ balení

TSOP

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

85°C

Počet kolíků

44

Normy/schválení

RoHS

Řada

RMLV0416E

Délka

18.41mm

Výška

1mm

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

10mA

4Mb pokročilá paměť LPSRAM (256 slov x 16 bitů)


Řada RMLV0416E je řada statických paměťových jednotek RAM 4 Mbit organizovaných 262, 144 slov x 16 bitů, vyrobených pomocí vysoce výkonných technologií Advanced LPSRAM společnosti Renesas. Řada RMLV0416E nabízí vyšší hustotu, vyšší výkon a nízkou spotřebu energie. Řada RMLV0416E nabízí nízkou spotřebu energie v pohotovostním režimu a je proto vhodná pro záložní systémy baterií. Nabízí se v 44kolíkovém poli TSOP (II) nebo 48kolíkovém poli kulové mřížky s jemným roztečí.

Klíčové funkce


  • Jednoduché napájení 3 V: 2,7 V až 3,6 V

  • Doba přístupu: 45 ns (max.)

  • Spotřeba proudu: pohotovostní režim: 0,3 μA (typ.)

  • Rovný přístup a doba cyklu

  • Společný datový vstup a výstup, třístavový výstup

  • Přímá kompatibilita se všemi vstupy a výstupy TTL

  • Záložní baterie

    • Související odkazy