SRAM 6116LA25SOGI, 16kB 2K x 8ů

Paměť SRAM CMOS společnosti Renesas Electronics je organizována jako 2K x 8. SRAM nabízí pohotovostní režim se sníženou spotřebou energie. Verze s nízkou spotřebou energie (LA) nabízí také možnost uchovávání dat záložní baterie, kde obvod obvykle spotřebovává pouze 1 μW až 4 μW při provozu z 2V baterie. Všechny vstupy a výstupy jsou kompatibilní s TTL. Používá se plně statické asynchronní obvody, které k provozu nevyžadují žádné hodiny ani osvěžení. K dispozici je produkt vojenské kvality.

Nízká spotřeba energie
Záložní provoz na baterii, 2 V, napětí pro uchování dat
Vyrobeno za pomoci pokročilé vysoce výkonné technologie CMOS
Proces CMOS prakticky eliminuje rychlost měkkých chyb alfa částic
Vstup a výstup přímo kompatibilní s TTL
Nevyžadují žádné hodiny ani aktualizaci