Paměťový čip SRAM CY7C1049G30-10VXI, 4Mbit 512k x 8 bitů 100MHz, počet kolíků: 36, SOJ

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Typy balení:
Skladové číslo RS:
193-8468
Výrobní číslo:
CY7C1049G30-10VXI
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Velikost paměti

4Mbit

Organizace

512k x 8 bitů

Počet slov

512k

Počet bitů na slovo

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

10ns

Šířka adresové sběrnice

8bit

Frekvence hodin

100MHz

Typ časování

Asynchronní

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ balení

SOJ

Počet kolíků

36

Rozměry

0.92 x 0.395 x 0.103in

Výška

2.62mm

Maximální provozní napájecí napětí

3,6 V

Délka

23.37mm

Maximální pracovní teplota

+85 °C

Šířka

10.03mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Minimální provozní napájecí napětí

2,2 V

Země původu (Country of Origin):
CN
CY7C1049G a CY71049CGE jsou vysoce výkonná zařízení paměti CMOS s rychlou statickou pamětí RAM s vloženým ECC. Obě zařízení jsou nabízena v konfiguracích s jedním nebo dvěma čipy a s více kolíky. Zařízení CY7C1049GE obsahuje čep ERR, který signalizuje chybu detekce a nápravu během cyklu čtení. Zápis dat se provádí tak, že vstupy Chip Enable (CE) a Write Enable (WE) JSOU NÍZKÉ a zároveň poskytují data v I/O0přes I/O7 a adresu na kolících A0 až A18. Čtení dat se provádí tak, že vstupy Chip Enable (CE) a Output Enable (OE) (Povolit čip (CE)) jsou NÍZKÉ a na řádcích adresy jsou uvedeny požadované adresy. Data pro čtení jsou přístupná na vstupně-výstupních linkách (I/O0 až I/O7).

Vysokorychlostní
TAA = 10 ns
Vestavěná korekce ECC pro jednobitovou opravu chyb[1, 2]
Nízký aktivní a pohotovostní proud
Aktivní proud: Typicky ICC = 38 mA
Pohotovostní proud: Typicky ISB2 = 6 mA
Rozsah provozního napětí: 1,65 v až 2,2 v, 2,2 v až 3,6 v a 4,5 v až 5,5 V.
Uchovávání dat 1,0 V.
Vstupy a výstupy kompatibilní s TTL
Kolík indikace chyby (ERR) označuje detekci a opravu 1bitové chyby
Soupravy 36 kolíků a 44 kolíků TSOP II bez olova

Související odkazy