Zařízení CY7C1049GN je vysoce výkonné zařízení CMOS s rychlou statickou pamětí RAM uspořádané jako 512 000 slov na 8 bitů. Zápis dat se provádí potvrzením vstupů Chip Enable (CE) a Write Enable (WE) LOW a zároveň poskytuje data na kolících I/O0 přes I/O7 a adresu na kolících A0 přes A18. Čtení dat se provádí potvrzením vstupů Chip Enable (CE) a Output Enable (OE) LOW a poskytnutím požadované adresy v adresových řádcích. Čtení dat je přístupné na I/O linkách (I/O0 přes I/O7). Všechny vstupy/výstupy (I/O0 až I/O7) jsou umístěny ve stavu s vysokou impedancí během následujících událostí: Zařízení je zrušeno (CE HIGH) Ovládací signál OE je zrušen.

Vysoká rychlost

tAA = 10 ns

Nízké aktivní a pohotovostní proudy

Aktivní proud: ICC = 38 mA typicky

Pohotovostní proud: ISB2 = typicky 6 mA

Rozsah provozního napětí: 1,65 V až 2,2 V, 2,2 V až 3,6 V a

4,5 V až 5,5 V

Zachování dat 1,0 V

Vstupy a výstupy kompatibilní s TTL

36kolíkové pouzdra SOJ a 44kolíkové pouzdra TSOP II bez obsahu olova

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 18	97,81 Kč	195,62 Kč
20 - 48	80,895 Kč	161,79 Kč
50 - 98	78,795 Kč	157,59 Kč
100 - 198	76,815 Kč	153,63 Kč
200 +	74,84 Kč	149,68 Kč

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Velikost paměti	4Mbit
	Organizace	512k x 8
	Počet slov	512k
	Počet bitů na slovo	8bit
	Maximální čas náhodného přístupu	10ns

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Velikost paměti 4Mbit
	Organizace 512k x 8
	Počet slov 512k
	Počet bitů na slovo 8bit
	Maximální čas náhodného přístupu 10ns

Paměťový čip SRAM CY7C1049GN-10VXI, 4Mbit 512k x 8

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy