Paměťový čip SRAM CY62148ELL-55SXI, 4Mbit 512 k x 8 bitů 1MHz 4,5 V až 5,5 V, počet kolíků: 32, SOIC

Skladové číslo RS:: 188-5324
Výrobní číslo:: CY62148ELL-55SXI
Výrobce:: Infineon

Paměťový čip SRAM CY62148ELL-55SXI, 4Mbit 512 k x 8 bitů 1MHz 4,5 V až 5,5 V, počet kolíků: 32, SOIC

Zobrazit vše v kategorii SRAM

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*

3 963,125 Kč

(bez DPH)

4 795,375 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 125 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za tubu*
25 - 25	158,525 Kč	3 963,13 Kč
50 - 75	154,237 Kč	3 855,93 Kč
100 - 225	150,176 Kč	3 754,40 Kč
250 - 475	146,323 Kč	3 658,08 Kč
500 +	142,677 Kč	3 566,93 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 188-5324
Výrobní číslo:: CY62148ELL-55SXI
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Velikost paměti	4Mbit
	Organizace	512 k x 8 bitů
	Počet slov	512k
	Počet bitů na slovo	8bit
	Maximální čas náhodného přístupu	55ns
	Šířka adresové sběrnice	8bit
	Frekvence hodin	1MHz
	Nízký výkon	Ano
	Typ časování	Asynchronní
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Typ balení	SOIC
	Počet kolíků	32
	Rozměry	20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Výška	2.88mm
	Maximální provozní napájecí napětí	5,5 V
	Maximální pracovní teplota	+85 °C
	Minimální provozní napájecí napětí	4,5 V
	Minimální provozní teplota	-40 °C
	Délka	20.75mm
	Šířka	11.43mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Velikost paměti 4Mbit
	Organizace 512 k x 8 bitů
	Počet slov 512k
	Počet bitů na slovo 8bit
	Maximální čas náhodného přístupu 55ns
	Šířka adresové sběrnice 8bit
	Frekvence hodin 1MHz
	Nízký výkon Ano
	Typ časování Asynchronní
	Typ montáže Povrchová montáž
	Typ balení SOIC
	Počet kolíků 32
	Rozměry 20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Výška 2.88mm
	Maximální provozní napájecí napětí 5,5 V
	Maximální pracovní teplota +85 °C
	Minimální provozní napájecí napětí 4,5 V
	Minimální provozní teplota -40 °C
	Délka 20.75mm
	Šířka 11.43mm

Datasheet CY62148ELL-55SXI

Země původu (Country of Origin):: US

Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor

Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).

Velmi vysoká rychlost: 45 ns
Rozsah napětí: 4,5 V až 5,5 V.
Kompatibilní s CY62148B.
Mimořádně nízký pohotovostní výkon
Typický pohotovostní proud: 1 μA
Maximální pohotovostní proud: 7 μA (průmyslový)
Mimořádně nízký aktivní výkon
Typický aktivní proud: 2,0 mA při f = 1 MHz
Snadné rozšíření paměti díky funkcím CE a OE
Automatické vypnutí, pokud je výběr zrušen
Doplňkový polovodič oxidu kovu (CMOS) pro optimální rychlost a výkon
K dispozici v balících SODIC[1] s tenkým pláštěm o malém nástihovém průřezu (TSOP) II bez obsahu Pb a s 32kolíkovým integrovaným obvodem (SOIC)

SRAM (statická paměť s přímým přístupem)

Paměťový čip SRAM CY62148ELL-55SXI, 4Mbit 512 k x 8 bitů 1MHz 4,5 V až 5,5 V, počet kolíků: 32, SOIC

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor

Související odkazy