EERAM 47C04-I/P, 4kbit 512K x 8ů 1000kHz, počet kolíků: 8, DIP
- Skladové číslo RS:
- 146-3205
- Výrobní číslo:
- 47C04-I/P
- Výrobce:
- Microchip
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 146-3205
- Výrobní číslo:
- 47C04-I/P
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Velikost paměti | 4kbit | |
| Organizace | 512k x 8 bitů | |
| Počet slov | 512k | |
| Počet bitů na slovo | 8bit | |
| Frekvence hodin | 1000kHz | |
| Nízký výkon | Ano | |
| Typ časování | Synchronní | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ balení | DIP | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Rozměry | 10.2 x 7.1 x 4.83mm | |
| Maximální provozní napájecí napětí | 5,5 V | |
| Výška | 4.83mm | |
| Minimální provozní napájecí napětí | 4,5 V | |
| Šířka | 7.1mm | |
| Maximální pracovní teplota | +85 °C | |
| Délka | 10.2mm | |
| Minimální provozní teplota | -40 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Velikost paměti 4kbit | ||
Organizace 512k x 8 bitů | ||
Počet slov 512k | ||
Počet bitů na slovo 8bit | ||
Frekvence hodin 1000kHz | ||
Nízký výkon Ano | ||
Typ časování Synchronní | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ balení DIP | ||
Počet kolíků 8 | ||
Rozměry 10.2 x 7.1 x 4.83mm | ||
Maximální provozní napájecí napětí 5,5 V | ||
Výška 4.83mm | ||
Minimální provozní napájecí napětí 4,5 V | ||
Šířka 7.1mm | ||
Maximální pracovní teplota +85 °C | ||
Délka 10.2mm | ||
Minimální provozní teplota -40 °C | ||
Paměť 47C04 EERAM společnosti Microchip Technology Inc. je paměť SRAM 4 kbit se záložní pamětí EEPROM. Paměť I2C EERAM je cenově dostupná paměť NVSRAM, která eliminuje nutnost použít k uchování dat externí baterii. Zařízení má uspořádání 512 x 8 bitů a využívá sériové rozhraní I2C. Model 47C04 nabízí nekonečný cyklus čtení a zápisu do paměti SRAM, zatímco články EEPROM zajišťují vysokou odolnost díky permanentnímu uložení dat. Data z paměti SRAM jsou v případě výpadku napájení automaticky přenesena přes externí kondenzátor do paměti EEPROM. Přenos dat lze provést i ručně pomocí hardwarového pinu nebo softwarových funkcí.
Paměť SRAM 4 kbit se záložní pamětí EEPROM
Automatické uložení dat do paměti EEPROM při výpadku napájení (přes volitelný externí kondenzátor)
Automatické vyvolání do pole SRAM při zapnutí
Pin pro hardwarové ukládání pomocí ručních funkcích
Softwarové příkazy pro spouštění operací uložení a vyvolání
Doba ukládání 40 ms (max.)
Automatické uložení dat do paměti EEPROM při výpadku napájení (přes volitelný externí kondenzátor)
Automatické vyvolání do pole SRAM při zapnutí
Pin pro hardwarové ukládání pomocí ručních funkcích
Softwarové příkazy pro spouštění operací uložení a vyvolání
Doba ukládání 40 ms (max.)
Související odkazy
- EERAM 47C04-I/P počet kolíků: 8, DIP
- EERAM 47L04-I/P počet kolíků: 8, DIP
- EERAM 47C04-I/SN5 V až 5 počet kolíků: 8, SOIC
- Microchip EERAM 47C16-I/P počet kolíků: 8 kolíkový, DIP
- Microchip EERAM počet kolíků: 8 kolíkový, DIP
- Microchip EEPROM 24C02C/P Sériové – I2C (2vodičové) 3500 ns DIP
- STMicroelectronics 4 MB 512K x 8ů TSSOP
- Microchip Sériová paměť EEPROM 24C02C-I/P Sériové - I2C 900 ns DIP
