Infineon SDRAM, standard: AEC-Q100 třída 2 a 3 S27KL0642DPBHI020, 64 MB Povrch 8 bit 105 °C -40 °C, počet kolíků: 24

Paměť DRAM Infineon je vysokorychlostní CMOS, samočinná obnovovací paměť DRAM s rozhraním HYPERBUS. Pole DRAM využívá dynamické buňky, které vyžadují pravidelné obnovování. Ovládací logika obnovení uvnitř zařízení spravuje obnovovací operace na pole DRAM, když paměť není aktivně čtena nebo zapisována hlavním rozhraním HYPERBUS. Vzhledem k tomu, že hostitel není povinen spravovat žádné obnovovací operace, zobrazuje se hostiteli pole DRAM, jako by paměť používala statické buňky, které uchovávají data bez obnovení. Proto je paměť přesněji popsána jako pseudo-statická paměť RAM.

Maximální rychlost hodin 200 MHz