SDRAM AS4C4M16SA-6TIN, 64Mbit Povrchová montáž 200MHz -40 °C až +85 °C, počet kolíků: 54, 3 V až 3,6 V, TSOP DDR

Alliance Memory 64 MB SDRAM je vysokorychlostní CMOS synchronní DRAM obsahující 64 Mbits. Je interně konfigurováno jako 4 bank s 1 M Word x 16 DRAM se synchronním rozhraním (všechny signály jsou registrovány na kladném okraji signálu hodin, CLK). Přístup pro čtení a zápis do paměti SDRAM je orientován na sérii

Rychlý přístup z hodin: 4.5/5.4/5.4 ns
Rychlý taktovací kmitočet: 200/166/143 MHz
Plně synchronní provoz
Interní architektura s pipelined
1M Word x 16-bit x 4-bank