SDRAM AS4C32M16SB-7TIN, 512Mbit Povrchová montáž 200MHz -40 °C až +85 °C, počet kolíků: 54, 3 V až 3,6 V, TSOP DDR

Alliance Memory 512 MB SDRAM je vysokorychlostní CMOS synchronní DRAM obsahující 512 Mbits. Je interně konfigurováno jako 4 bank s 8M slovem x 16 DRAM se synchronním rozhraním (všechny signály jsou registrovány na kladném okraji signálu hodin, CLK). Přístup pro čtení a zápis do paměti SDRAM je orientován na sérii

Automatické obnovení a vlastní obnovení
8192 cyklů obnovení / 64 ms
Režim vypnutí CKE
Jeden + 3,3 v ± 0,3 v napájení