Tranzistor Darlington MJ11016G NPN 30 A 120 V HFE:200, TO-204, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 100-7565
Výrobní číslo:: MJ11016G
Výrobce:: onsemi

Tranzistor Darlington MJ11016G NPN 30 A 120 V HFE:200, TO-204, počet kolíků: 3 Jednoduchý

600 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Standardní dodávka

Přidáno

Cena Kus (na platu z 100)

100,57 Kč

(bez DPH)

121,69 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit	za kus*
100 +	100,57 Kč	10 056,90 Kč
*orientační cena

Skladové číslo RS:: 100-7565
Výrobní číslo:: MJ11016G
Výrobce:: onsemi

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Země původu (Country of Origin):: CZ

Podrobnosti o výrobku

NPN Darlington Transistory on Semiconductor

Standardy

Výrobní čísla dílů s předponou S nebo NSV jsou pro automobilový průmysl kvalifikována jako norma AEC-Q101.

On Semiconductor MJ11016G je 30A, 120V NPN Darlington bipolární výkonový tranzistor. Je určen pro použití jako výstupní zařízení pro aplikace pro univerzální zesilovač.
MJ11016G je dodáván v provedení o průměru otvorů bez obsahu Pb TO-204AA (TO-3).

• Vysoký nárůst stejnosměrného proudu
• Monolitická konstrukce
• Vestavěný odporový bočník emitoru základny
• Teplota svorkovnice: Na +200 °C.
• polarita NPN

Dostupné verze:
463-000 - balení po 2 ks
100-7565 - zásuvka 100

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ tranzistoru	NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru	30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru	120 V
Maximální bázové napětí emitoru	5 V
Typ balení	TO-204
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Počet prvků na čip	1
Minimální proudový zisk DC	200
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru	5 V
Maximální bázové napětí kolektoru	120 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru	4 V
Maximální pracovní teplota	+200 °C
Délka	39.37mm
Výška	8.51mm
Rozměry	39.37 x 26.67 x 8.51mm
Šířka	26.67mm
Minimální provozní teplota	-55 °C

Skladové číslo RS:: 100-7565
Výrobní číslo:: MJ11016G
Výrobce:: onsemi