Infineon Sériová (SPI) F-RAM, Sériové - SPI, 256 kB 32K x 8 bitů, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

217,17 Kč

(bez DPH)

262,78 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 734 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9217,17 Kč
10 - 24196,82 Kč
25 +192,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7389
Výrobní číslo:
FM25V02A-G
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Velikost paměti

256kB

Typ produktu

Sériová (SPI) F-RAM

Organizace

32K x 8 bitů

Typ rozhraní

Sériové - SPI

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální frekvence hodin

40MHz

Typ balení

SOIC

Počet kolíků

8

Normy/schválení

RoHS

Maximální provozní teplota

85°C

Minimální provozní teplota

-40°C

Automobilový standard

Ne

Počet bitů na slovo

8

Minimální napájecí napětí

2V

Počet slov

32k

Maximální napájecí napětí

3.6V

Infineon FRAM je 256kbitová netěkavá paměť využívající pokročilý ferroelektrický proces. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá a provádí čtení a zápis podobně jako paměť RAM. Zajišťuje spolehlivé uchování dat po dobu 151 let a zároveň eliminuje složitosti, nadměrné zatížení a problémy se spolehlivostí na úrovni systému způsobené sériovým flashem, EEPROM a dalšími netěkavými pamětmi. Na rozdíl od sériové paměti Flash a paměti EEPROM provádí zápis při rychlosti sběrnice. Nejsou způsobeny žádné zpoždění při zápisu. Data se zapíší do paměťového pole ihned po úspěšném přenosu každého bajtu do zařízení. Další cyklus sběrnice může být zahájen bez nutnosti sběru dat. Kromě toho nabízí výrobek značnou odolnost při zápisu ve srovnání s jinými netěkavými pamětmi.

Vyhovuje RoHS

Nízká spotřeba energie

Velmi rychlé sériové periferní rozhraní

Sofistikované schéma ochrany proti zápisu

Vysoká odolnost 100 bilionů čtení a zápisu

Pokročilý ferroelektrický proces s vysokou spolehlivostí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.