Infineon FRAM FM25L04B-G, SPI, 4 kB 512 x 8 bitů, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 97 kusech)*

3 852,74 Kč

(bez DPH)

4 661,82 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 04. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
97 - 9739,719 Kč3 852,74 Kč
194 +34,998 Kč3 394,81 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7386
Výrobní číslo:
FM25L04B-G
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

FRAM

Velikost paměti

4kB

Organizace

512 x 8 bitů

Typ rozhraní

SPI

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální frekvence hodin

20MHz

Typ balení

SOIC

Počet kolíků

8

Normy/schválení

Restriction of hazardous substances (RoHS)

Maximální provozní teplota

85°C

Maximální napájecí napětí

3.6V

Počet bitů na slovo

8

Automobilový standard

Ne

Počet slov

512

Minimální napájecí napětí

2.7V

Minimální provozní teplota

-40°C

Infineon FRAM je 4kbitová netěkavá paměť využívající pokročilý ferroelektrický proces. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá a provádí čtení a zápis podobně jako paměť RAM. Zajišťuje spolehlivé uchování dat po dobu 151 let a zároveň eliminuje složitosti, nadměrné zatížení a problémy se spolehlivostí na úrovni systému způsobené sériovým flashem, EEPROM a dalšími netěkavými pamětmi. Na rozdíl od sériové paměti Flash a paměti EEPROM provádí zápis při rychlosti sběrnice. Nejsou způsobeny žádné zpoždění při zápisu. Data se zapíší do paměťového pole ihned po úspěšném přenosu každého bajtu do zařízení. Další cyklus sběrnice může být zahájen bez nutnosti sběru dat. Kromě toho nabízí výrobek značnou odolnost při zápisu ve srovnání s jinými netěkavými pamětmi.

Vyhovuje RoHS

Nízká spotřeba energie

Velmi rychlé sériové periferní rozhraní

Sofistikované schéma ochrany proti zápisu

Vysoká odolnost 100 bilionů čtení a zápisu

Pokročilý ferroelektrický proces s vysokou spolehlivostí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.