Infineon, standard: AEC-Q100 třída 1 Sériová paměť FRAM pro automobilový průmysl (SPI), Sériové - SPI, 16 kB 2K x 8

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

99,54 Kč

(bez DPH)

120,44 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 856 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 849,77 Kč99,54 Kč
10 - 1843,72 Kč87,44 Kč
20 - 4842,855 Kč85,71 Kč
50 - 9842,115 Kč84,23 Kč
100 +38,04 Kč76,08 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7385
Výrobní číslo:
FM25C160B-G
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Sériová paměť FRAM pro automobilový průmysl (SPI)

Velikost paměti

16kB

Organizace

2K x 8 bitů

Typ rozhraní

Sériové - SPI

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální frekvence hodin

15MHz

Typ balení

SOIC-8

Počet kolíků

8

Normy/schválení

RoHS

Maximální provozní teplota

125°C

Maximální napájecí napětí

5.5V

Automobilový standard

AEC-Q100 třída 1

Minimální provozní teplota

40°C

Minimální napájecí napětí

4.5V

Počet bitů na slovo

8

Počet slov

2k

Země původu (Country of Origin):
TH
Infineon FRAM je 16kbitová netěkavá paměť využívající pokročilý ferroelektrický proces. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá a provádí čtení a zápis podobně jako paměť RAM. Zajišťuje spolehlivé uchování dat po dobu 121 let a zároveň eliminuje složitosti, nadměrné náklady a problémy se spolehlivostí na úrovni systému způsobené pamětí EEPROM a jinými netěkavými pamětmi. Na rozdíl od paměti EEPROM provádí zápis při rychlosti sběrnice. Nejsou způsobeny žádné zpoždění při zápisu. Data se zapíší do paměťového pole ihned po úspěšném přenosu každého bajtu do zařízení. Další cyklus sběrnice může být zahájen bez nutnosti sběru dat. Kromě toho nabízí výrobek značnou odolnost při zápisu ve srovnání s jinými netěkavými pamětmi.

V souladu s RoHS

Nízká spotřeba energie

V souladu s AEC Q100 třídy 1

Velmi rychlé sériové periferní rozhraní

Sofistikované schéma ochrany proti zápisu

Vysoká odolnost 10 bilionů čtení a zápisu

Pokročilý ferroelektrický proces s vysokou spolehlivostí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.