Infineon, standard: AEC-Q100 FRAM FM24C04B-G, Sériové – I2C (2vodičové), 4 kB 512 x 8 bitů 3000 ns, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 188-5395
- Výrobní číslo:
- FM24C04B-G
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 188-5395
- Výrobní číslo:
- FM24C04B-G
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 4kB | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Organizace | 512 x 8 bitů | |
| Typ rozhraní | Sériové – I2C (2vodičové) | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální čas náhodného přístupu | 3000ns | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ balení | SOIC | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Šířka | 3.98mm | |
| Délka | 4.97mm | |
| Výška | 1.48mm | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Počet slov | 512 | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Automobilový standard | AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 4kB | ||
Typ produktu FRAM | ||
Organizace 512 x 8 bitů | ||
Typ rozhraní Sériové – I2C (2vodičové) | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální čas náhodného přístupu 3000ns | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ balení SOIC | ||
Počet kolíků 8 | ||
Šířka 3.98mm | ||
Délka 4.97mm | ||
Výška 1.48mm | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Počet slov 512 | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Automobilový standard AEC-Q100 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Feroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) je energeticky úsporná a nabízí nejvyšší spolehlivost mezi permanentními pamětími RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s příponou A jsou navrženy pro automobilové aplikace a mají certifikaci AEC-Q100.
Nevolatilní ferroelektrická paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (ferroelektrická paměť RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) je permanentní paměť, která používá ferroelektrickou fólii jako kondenzátor pro ukládání dat. Paměť F-RAM s vlastnostmi zařízení ROM i RAM nabízí vysokorychlostní přístup, vysokou odolnost v režimu zápisu, nízkou spotřebu energie, netěsnost a vynikající odolnost proti manipulaci. Proto je ideální paměť pro použití v chytrých kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, stejně jako mobilní telefony a další zařízení.
Související odkazy
- Infineon FRAM 4 kB 512 x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM FM24CL04B-G 4 kB 512 x 8 bitů SOIC-8
- Infineon 4 kB 512 x 8 bitů 10 ns SOIC
- Infineon Sériové - I2C, 64 kB 8k x 8
- Infineon Sériové - I2C počet kolíků: 8 kolíkový 80 °C až 125 °C,
- Microchip 4 kB 512 x 8ů počet kolíků: 8
- Infineon Sériové - I2C počet kolíků: 8 kolíkový 80 °C až 125 °C, SOIC
- Infineon Sériové - I2C, 64